为什么3C产品镜面抛光首选CMP而非电解抛光？

在3C行业（手机、笔记本、智能穿戴等），电解抛光因易导致边缘过蚀、材料限制等问题，逐渐被CMP（化学机械抛光）取代。吉致电子通过纳米级SiO₂抛光液的机械-化学协同作用，可实现：

①纳米级精度：表面粗糙度Ra＜2nm，满足光学级镜面要求

②复杂结构适配：适用于铝合金中框、不锈钢按键等异形件

③效率提升：较传统工艺缩短30%工时

二氧化硅抛光液麻点问题深度解析

客户反馈的麻点问题多源于：

硅溶胶腐蚀：低纯度浆料中的Na⁺、Cl^-引发金属电化学腐蚀

工艺缺陷：前道粗抛残留划痕＞0.1μm时，精抛易放大缺陷

吉致电子解决方案

①高纯氨稳定硅溶胶：金属杂质＜1ppm，pH值精准控制（8-10）

②表面修饰技术：硅烷偶联剂包裹磨料，减少直接接触腐蚀

③工艺包支持：提供从粗抛（Ra 50nm→10nm）到精抛（Ra→2nm）的全套参数

吉致电子提供高精度无腐蚀SiO₂抛光液/CMP抛光垫，解决3C产品镜面抛光麻点问题，纳米级磨料（10-150nm）实现Ra＜2nm表面精度，25年CMP工艺技术沉淀助力半导体/金属/硅晶圆抛光升级！如需进一步技术交流，可联系吉致电子技术团队获取《3C产品CMP抛光白皮书》及行业解决方案。

无锡吉致电子科技有限公司

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